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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）凭借其硅基功率MOSFET技术CoolMOS™，正在推动服务器电源管理领域的创新，助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。英飞凌的600VCoolMOS™8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，助力长城电源技术有限公司在更高功率等级的电源中实现更高的功率密度与更卓越的性价比。 英飞凌的MOSFET产品聚焦高性能、高可靠性和易用性，可实现出色的能效表现和高功率密度。600VCoolMOS™8超结（SJ）MOSFET专为实现出色的效率、可靠性并节约成本而设计。能够在600VCoolMOS™7与CoolMOS™8之间无缝切换以实现供应灵活性，以及在LLC阶段的易用性，是长城电源选择该技术的主要原因之一。 英飞凌科技副总裁、高压功率开关产品线负责人ChristinaGuggenberger表示：“英飞凌通过硅基功率MOSFET技术，为客户带来卓越的性能、可靠性与成本效益，为全球市场树立了创新与卓越的行业标杆。我们的CoolMOS™8技术正是这一承诺的绝佳例证，它为打造满足数据中心应用严苛要求的高性能电源解决方案提供了强大支持。” 长城电源首席技术官金博士表示：“与英飞凌的持续深化合作，让我们得以借助其行业领先的CoolMOS™8超结（SJ）MOSFET技术，提升我们的系统性能并实现更高的成本效益。这一合作体现了我们在行业内追求创新与卓越的坚定决心。我们很高兴地看到，我们现在为客户提供的电源解决方案（PSU）在功率密度和成本节约方面实现了显著提升。”
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